收藏本站
IRF5804PbF
100
10
VGS
TOP     -10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-4.0V
-3.7V
-3.5V
BOTTOM -3.0V
100
10
VGS
TOP     -10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-4.0V
-3.7V
-3.5V
BOTTOM -3.0V
1
0.1
-3.0V
1
-3.0V
0.01
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
0.1
20μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
10.00
T J = 150°C
2.0
1.5
I D = -2.5A
1.00
TJ = 25°C
1.0
0.5
VDS = -25V
V GS = -10V
0.10
3.0
20μs PULSE WIDTH
3.5         4.0         4.5
-V GS, Gate-to-Source Voltage (V)
5.0
0.0
-60 -40 -20 0 20  40  60  80 100 120 140 160
T J , Junction Temperature ( ° C)
-
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRF6100PBF MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
IRF6100 MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
IRF6215L MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
IRF634B_FP001 MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220
IRF640NL MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
IRF644B_FP001 MOSFET N-CH 250V 14A TO-220
IRF6603TR1 MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
IRF6604TR1 MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
相关代理商/技术参数
IRF5805 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-30V)
IRF5805PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P-Channel 30V 3.8A TSOP6
IRF5805TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF5805TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -3.8A 98mOhm 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF5806 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF5806PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P-Channel 20V 4A TSOP6
IRF5806TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin Micro T/R
IRF5806TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V -4A 86mOhm 8.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube